麻省理工学院(MIT)的研究人员们宣称已经开发出了一种新技术，能将用于芯片图案蚀刻的高速电子束光刻的分辨率尺度推进到9nm(纳米)，远远超出人们此前的预想。 MIT表示，电子束光刻工具之前最小的形体尺寸是25nm，而他们的新发现将会大大延长电子束光刻技术在半导体制造业中的寿命。 MIT透露，他们的这次突破主要得益于两点，一是使用更薄的绝缘层来尽量避免电子散射，二是使用特殊材料对接收电子较多的区域进... [阅读全文]