引言
为微处理器系统中能量存储/传输处理选择体去耦电容是件复杂事情由于强调产品物理尺寸处理器制造商般只规定满足器件能量转换要求所需要电容量而不考虑为适合电容排列留置可用空间嵌入式单板计算机中所用处理器还要求更高电容充放电性能从而要求个低时间常数 随着电容制造向更小型化封装应用继续推进种高电容量、低ESR及低电压应用理想方案是3-D多阳极涂层(conformal coated)片式电容 高电容量和低ESR技术 有多种技术已可实现单位体积电容量优化例如涂层片式钽电容技术该技术去除了常规模压固体钽电容引线框结构同时这种类似于半导体特殊封装技术大大降低平均尺寸 Vishay已经开发了涂层钽片式技 [阅读全文] [PDF]
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